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產品及應用

硅基淺結/超淺結晶圓激光快速退火系統

產品介紹

晶圓獲得極淺的原始雜質離子注入后,采用激光瞬間退火來激活雜質,并精確控制注入離子的峰值深度,保證注入雜質不發生明顯的擴散再分布,獲得合格的超淺結源漏區。

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產品特點

< 50nm 結深控制

低至 10nm 以內的峰值濃度深度控制

優異的雜質形貌分布和均勻性

WPH 高達 25

完整的全程監控反饋功能


應用產品類型

背照式圖像傳感器晶圓



技術指標
項目LA2515
晶圓尺寸4/6、6/8 inch 兼容
激光功率15W/13W
典型掃描時間90 sec/p@ 6 inch
激光能量密度0.3-3J/cm2
激活率≥ 95% @B Implant
均勻性片內:≤ 1%,片間:≤ 1%,@6 inch,RS
自動傳片系統雙 LoadPort、多關節機器手、預準直器


應用案例

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Chengdu Laipu Technology co.,LTD

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