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產品及應用

IGBT 激光快速退火系統

產品介紹

精確的單 / 雙脈沖控制,對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火,實現激活深度,有效修復離子注入破壞的晶格結構。

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產品特點
  • ·  10um 激活深度                                 
     · WPH 高達 30

  • · 優異的方阻均勻性和表面顏色                      

  • · 完整的全程監控反饋能力

  • · 支持超薄片、TAIKO 片、翹曲片退火           

  • · 具備激光輔助加熱系統




應用產品類型

標準晶圓、Flat 晶圓、Notch 晶圓、Taiko 晶圓

技術指標
項目
LA2540S LA2550SLA2540D LA2550D
晶圓尺寸4/6、6/8、8/12 inch 兼容
激光功率60W+150W90W+150W120W+300W 180W+300W 
8 寸片典型掃描時間110 sec/p 90 sec/p60 sec/p 45 sec/p 
激光能量密度≥ 5J/cm2 ≥ 5J/cm2
激光輸出穩定性≤ 2%,RMS,4hrs
激活率≥ 95% @B Implant,≥ 90% @P Implant
均勻性片內:≤ 1%,片間:≤ 1%,@8 寸,RS
粉塵控制≤ 30 @ 0.5um,≤ 5 @ 1um
自動傳片系統雙 LoadPort、多關節機器手、預準直器


應用案例

畫板 2.jpg

Chengdu Laipu Technology co.,LTD

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